Produktbeskrivelse
Siliciumcarbid (SiC)-pulver er et højtydende keramisk materiale kendt for sin enestående hårdhed, termiske ledningsevne og kemiske modstand. Det er syntetisk fremstillet gennemAcheson proces(carbotermisk reduktion af silica) eller avancerede kemiske dampaflejringsmetoder (CVD). SiC-pulver er meget udbredt i slibemidler, ildfaste materialer, halvledere og avanceret keramik på grund af dets overlegne mekaniske og termiske egenskaber.
🔹 Kemisk formel:SiC
🔹 CAS-nr.: 409-21-2
🔹 Udseende:Sort eller grønt krystallinsk pulver
Specifikation
Vores SiC-pulver med høj-renhed fås i forskellige kvaliteter for at imødekomme industrielle og forskningsmæssige krav:
| Ejendom | Specifikationer |
|---|---|
| Renhed | 99 % min, 99,9 % (høj-renhedsgrad) |
| Partikelstørrelse | 0,5 µm – 100 µm (kan tilpasses) |
| Tæthed | 3,21 g/cm³ |
| Mohs hårdhed | 9,5 (kun næst efter diamant 💎) |
| Smeltepunkt | ~2.700 grader (4.892 grader F) |
| Termisk ledningsevne | 120-200 W/m·K |
| Elektrisk resistivitet | 10³ – 10⁶ Ω·cm (halv-ledende) |
Tilgængelig i-SiC (sekskantet)og-SiC (kubisk)krystal strukturer.
Nøglefunktioner og fordele
✅ Ekstrem hårdhed (Mohs 9.5 – Near-Diamond Performance)
Overlegen i forhold til alumina og wolframcarbid: SiC's hårdhed (9,5 Mohs) overgår alumina (9,0) og konkurrerer med borcarbid (9,3), hvilket gør den ideel til:
Skæreværktøj: CNC-bearbejdningsskær til ikke-jernholdige metaller.
Slibemidler: Blæsemedier til ætsning af glas/metal (f.eks. 80-korn SiC til præcis overfladeforberedelse).
Bær belægninger: Plasma-sprøjtede SiC-belægninger forlænger levetiden for mineudstyr.
✅ Høj termisk ledningsevne (120–200 W/m·K – 3x aluminium!)
Beherskelse af varmeafledning: SiC-substrater afkøler høj-elektronik 50 % hurtigere end aluminiumnitrid (AlN).
Elektronik: Bundplader til EV-invertere (f.eks. Teslas SiC MOSFET'er).
LED køleplader: Forhindrer nedbrydning af lumen i lysdioder med høj-lysstyrke.
✅ Kemisk inerthed (korrosions-sikker selv ved 1.600 grader)
Syre/alkali modstand: Tåler HF, HNO₃ og smeltede salte (nøgle til kemiske reaktorforinger).
Oxidationsmodstand: Danner et passivt SiO₂-lag i luft op til 1.700 grader (i forhold til grafit, som oxiderer ved 600 grader).
✅ Lav termisk udvidelse (4,0×10⁻⁶/ grad – stabilitet under termisk stød)
Kritisk for ildfaste materialer: SiC ovnhylder overlever 1,000+ termiske cyklusser uden at revne.
Rumapplikationer: Satellitspejle bruger SiC-kompositter for at undgå forvrængning i kredsløb.
✅ Justerbare elektriske egenskaber (bredt båndgab: 2,3–3,3 eV)
Strømelektronik: SiC-dioder reducerer energitabet med 70 % i forhold til silicium (f.eks. EV-hurtigopladere).
RF-enheder: 5G-basestationer udnytter SiC's højfrekvente-stabilitet.
Ansøgninger
🔸 Slibemidler og polering
Lapping Compounds: 0,5 µm SiC til efterbehandling af optiske linser (f.eks. Zeiss kameralinser).
Diamant alternativer: Omkostnings-effektiv SiC-slam til wafer-baggrundsslibning (halvledere).
🔸 Ildfaste materialer
Stål industri: SiC-digler (99 % renhed) til smeltning af ikke--jernholdige legeringer (Al, Cu).
Støberier: SiC-belagte grafitforme til præcisionsstøbning.
🔸 Avanceret keramik og kompositter
Kropsrustning: SiC-Al₂O₃-kompositter stopper 7,62 mm runder ved halvdelen af stålets vægt.
Rumteleskoper: SiC-spejle (f.eks. James Webbs beryllium-SiC-hybrid).
🔸 Elektronik
Wafer substrater: 150 mm SiC wafere til 1.200V+ strømenheder (Wolfspeed, Infineon).
Sensorer: SiC MEMS til barske miljøer (f.eks. jetmotortemperaturovervågning).
🔸 Automotive & Aerospace
Bremsesystemer: Porsches PCCB-bremser bruger SiC-forstærket kulfiber.
Raketdyser: SpaceX's Raptor-motorforinger tåler 3.500 graders udstødning.
🔸 Energi
Nuklear Fusion: SiC-SiC-beklædning til TRISO brændselssten (næste-gen reaktorer).
Batterianoder: Nano-SiC øger Li-ion cyklus levetid med 300 %.
Hvorfor vælge os?
🔹 Kvalitet og konsistens
Batch sporbarhed: Hvert parti testet via XRD (krystallinitet) og laserdiffraktion (partikelstørrelse).
ISO 9001 certificeret: Mindre end eller lig med 0,1 % metalliske urenheder (Fe, Al, Ca).
🔹 Tilpasning
Partikelmorfologi: Kugleformet (til belægninger) vs. kantet (til slibemidler).
Doterede varianter: N--type (nitrogen) eller P--type (aluminium) til halvleder-F&U.
🔹 Omkostningseffektivitet
Masserabatter: 20% besparelse på 1-tons ordrer.
Lokale varehuse: Lager i EU/USA/Asien for at reducere forsendelsesomkostningerne.
🔹 Logistik og support
Lige-til-levering til tiden: 48-timers behandlingstid for presserende F&U-projekter.
Applikationsingeniører: Gratis konsultation for SiC-kompositdesign (f.eks. optimering af sinterbarhed).
🔹 Bæredygtighed
Genanvendt SiC: Genbrugt fra produktion af solwafer-affald (20 % lavere CO₂-fodaftryk).
Populære tags: sic pulver, Kina sic pulver producenter, leverandører, fabrik
